硝酸(suan)提取(qu)優級純純凈度(du)可(ke)達(da)到0.01ppb

                                  硝酸(suan)提取(qu)優級純純凈度(du)可(ke)達(da)到0.01ppb

硝酸(suan)提取(qu)優級純純凈度(du)可(ke)達(da)到0.01ppb利(li)用(yong)熱(re)輻射(she)原理，保(bao)持液(ye)體(ti)溫度(du)低(di)於沸點(dian)溫度(du)蒸發(fa)，再將其酸(suan)蒸氣(qi)冷凝從(cong)而制備(bei)高(gao)純水(shui)和(he)高(gao)純試(shi)劑，廣泛(fan)應用(yong)於樣品處(chu)理(li)及分析實(shi)驗(yan)中

酸(suan)純化器(qi)

• 產(chan)品簡(jian)介：

酸(suan)純化器(qi)：又(you)稱(cheng)酸(suan)純化系(xi)統(tong)，高(gao)純酸提(ti)純器，酸(suan)試(shi)劑提(ti)純器，高(gao)純酸蒸餾(liu)純化器(qi)等(deng)，實(shi)驗(yan)室(shi)工作中(zhong)常常(chang)由於酸的(de)純度較差，造(zao)成分析結果(guo)的(de)偏(pian)差(cha)與錯(cuo)誤(wu)。市(shi)售的(de)純酸往(wang)往(wang)由於價格較貴，很(hen)難滿足(zu)日(ri)常(chang)分析中(zhong)對酸(suan)的(de)大量需(xu)求。因此，提(ti)純優化(hua)酸(suan)的(de)質(zhi)量，為經(jing)濟可(ke)行(xing)的(de)途(tu)徑(jing)，我(wo)廠(chang)的(de)酸(suan)純化器(qi)可(ke)用(yong)於實驗(yan)室(shi)如(ru)HNO3、HCl、HF、堿溶液(ye)和(he)有機溶劑的(de)純化，純化後(hou)的(de)酸(suan)和(he)Merck的(de)壹樣好(hao)，實(shi)驗(yan)後(hou)期可(ke)配(pei)套(tao)我(wo)單(dan)位Teflon特(te)氟(fu)龍系(xi)列試(shi)劑瓶(ping)收取(qu)高純酸。

三、 產(chan)品特(te)點(dian)：

1、可(ke)以(yi)滿(man)足ICP、ICP-MS低(di)的(de)檢(jian)測限(xian)需(xu)要(yao)及苛(ke)刻的(de)分析應(ying)用(yong)中(zhong)提供(gong)實驗(yan)室(shi)級超(chao)純酸，所用(yong)容(rong)器均(jun)采用(yong)Teflon耐(nai)腐(fu)蝕(shi)無吸(xi)附塑料(liao)，可(ke)處(chu)理(li)如(ru)HNO3、HCl、HF等(deng)實(shi)驗(yan)室(shi)的(de)常(chang)用(yong)酸(suan)。

2、實(shi)驗(yan)證明(ming)將金屬(shu)雜質(zhi)含量(liang)約10ppb的(de)酸(suan)經(jing)過壹次蒸餾(liu)後(hou)，金屬(shu)雜質(zhi)含量(liang)可(ke)以(yi)降(jiang)低(di)到0.01ppb左右。若對酸(suan)要(yao)求更(geng)高(gao)，可(ke)增加提純次數(shu)。

四、相關(guan)參(can)數：

五(wu)、使用(yong)註意(yi)事項(xiang)：
1、所有配件(jian)（控(kong)制器(qi)、電(dian)源(yuan)線、加熱(re)片(pian)等(deng)除(chu)外）放入(ru)按實(shi)驗(yan)要(yao)求壹定濃度(du)的(de)酸(suan)液(ye)中浸(jin)泡(pao)，去(qu)除雜質(zhi)。

2、加(jia)酸(suan)前(qian)必(bi)須(xu)做(zuo)好(hao)個人防(fang)護(hu)如(ru)：防濺(jian)眼(yan)鏡(jing)、防酸手套等(deng)（蒸水(shui)除外）。

【電(dian)子(zi)級酸(suan)】：

適(shi)用(yong)於半導體(ti)生(sheng)產(chan)過程(cheng)中所用(yong)產(chan)品的(de)清洗(xi)和(he)蝕(shi)刻以(yi)及(ji)痕量(liang)金屬(shu)元素殘留(liu)分析，根(gen)據(ju)質(zhi)控的(de)金屬(shu)元素含量(liang)的(de)數(shu)量(liang)和(he)含量(liang)，劃分為4個級別(bie)：MOS級，VLSI級，ULSI級，SLSI級

MOS級（EL級）：控(kong)制十(shi)多個金屬(shu)元素，單項(xiang)金屬(shu)元素雜質(zhi)控制在(zai)100PPb左右

VLSI級：控(kong)制三十(shi)多個金屬(shu)元素，單項(xiang)金屬(shu)元素雜質(zhi)控制在(zai)10~100PPb

ULSI級：控(kong)制三十(shi)多個金屬(shu)元素，單項(xiang)金屬(shu)元素雜質(zhi)控制在(zai)10PPb以(yi)下(xia)

SLSI級：控(kong)制三十(shi)多個金屬(shu)元素，單項(xiang)金屬(shu)元素雜質(zhi)控制在(zai)1PPB以(yi)下(xia)

所謂(wei)的(de)電(dian)子(zi)級酸(suan)，其(qi)實就是ppb或(huo)者(zhe)ppt級的(de)高(gao)純酸。

實(shi)驗(yan)數據(ju)（僅供參(can)考(kao)）：儀(yi)器(qi)：CH-I 酸(suan)純化器(qi)；試(shi)劑：優(you)級純酸

蒸餾(liu)後(hou)，經(jing)中(zhong)國地質(zhi)大學(xue)地(di)質(zhi)過程(cheng)與礦產(chan)資源(yuan)重(zhong)點(dian)實驗(yan)室(shi)ICP-MS檢(jian)測出(chu)HF中雜質(zhi)的(de)含量(liang)：

南(nan)京(jing)濱(bin)正紅儀(yi)器(qi)有限公(gong)司(si)