半導體用(yong)電(dian)子(zi)級(ji)純(chun)酸提純(chun)裝置硝(xiao)酸(suan)純(chun)化系統(tong)

 半導體用(yong)電(dian)子(zi)級(ji)純(chun)酸提純(chun)裝置硝(xiao)酸(suan)純(chun)化系統(tong)

酸純(chun)化器(qi)：又稱酸純(chun)化系統(tong)，高純(chun)酸提純(chun)器(qi)，酸(suan)試(shi)劑(ji)提純(chun)器(qi)，高(gao)純(chun)酸蒸餾純(chun)化器(qi)等，實驗(yan)室(shi)工(gong)作中常(chang)常(chang)由(you)於(yu)酸(suan)的(de)純(chun)度較(jiao)差，造(zao)成(cheng)分(fen)析(xi)結果的偏(pian)差與(yu)錯誤(wu)。市售(shou)的超純(chun)酸往往由(you)於(yu)較(jiao)貴(gui)，很難滿足(zu)日常(chang)分(fen)析(xi)中對酸的(de)大(da)量(liang)需求。因此(ci)，提純(chun)優化酸的(de)質量(liang)，是(shi)為經(jing)濟(ji)可行(xing)的(de)途(tu)徑(jing)，我廠(chang)的(de)酸(suan)純(chun)化器(qi)可(ke)用(yong)於(yu)實驗(yan)室(shi)如(ru)HNO3、HCl、HF、堿(jian)溶(rong)液和(he)有機(ji)溶(rong)劑(ji)的純(chun)化，純(chun)化後的(de)酸和(he)Merck的(de)壹(yi)樣(yang)好(hao)，實驗(yan)後(hou)期(qi)可(ke)配套(tao)我單(dan)位(wei)Teflon特(te)氟龍系(xi)列試(shi)劑(ji)瓶(ping)收取高(gao)純(chun)酸。

二(er)、工(gong)作原理：

酸純(chun)化器(qi)是(shi)利用(yong)熱輻射(she)原理，保(bao)持(chi)液體溫度低(di)於沸(fei)點溫(wen)度(du)蒸發，再將(jiang)其(qi)酸蒸氣(qi)冷凝(ning)從而制(zhi)備高純(chun)水和(he)高(gao)純(chun)試(shi)劑(ji)，應用(yong)於(yu)樣(yang)品(pin)處(chu)理及分(fen)析實(shi)驗(yan)中(zhong)。

三(san)、  產品(pin)特(te)點：

1、可(ke)以(yi)滿足(zu)ICP、ICP-MS低(di)的檢(jian)測限(xian)需要(yao)及苛(ke)刻(ke)的分析(xi)應用(yong)中(zhong)提供(gong)實驗(yan)室(shi)級(ji)超純(chun)酸，所(suo)用(yong)容(rong)器(qi)均(jun)采用(yong)Teflon無吸(xi)附(fu)塑料，可處理如(ru)HNO3、HCl、HF等實驗(yan)室(shi)的(de)常(chang)用(yong)酸(suan)。

2、實驗(yan)證(zheng)明將(jiang)金(jin)屬雜質含(han)量約(yue)10ppb的(de)酸(suan)經(jing)過壹(yi)次蒸餾後(hou)，金屬(shu)雜質含(han)量可(ke)以(yi)降低(di)到(dao)0.01ppb左(zuo)右(you)。若(ruo)對酸要(yao)求(qiu)更高(gao)，可(ke)增加(jia)提純(chun)次數(shu)。

半導體用(yong)電(dian)子(zi)級(ji)純(chun)酸提純(chun)裝置硝(xiao)酸(suan)純(chun)化系統(tong)

四、使用(yong)註(zhu)意事項(xiang)：

1、所有配件(jian)（控(kong)制器(qi)、電(dian)源(yuan)線、加(jia)熱片(pian)等除外）放(fang)入按(an)實(shi)驗(yan)要(yao)求(qiu)壹(yi)定(ding)濃(nong)度(du)的(de)酸(suan)液中浸(jin)泡(pao)，去(qu)除雜質。

2、加(jia)酸(suan)前(qian)必(bi)須(xu)做(zuo)好(hao)個(ge)人(ren)防(fang)護如(ru)：防(fang)濺眼鏡、防(fang)酸手套(tao)等（蒸水(shui)除外）。

【電(dian)子(zi)級(ji)酸(suan)】：

適用(yong)於(yu)半導體生產過程中所(suo)用(yong)產品(pin)的清(qing)洗和(he)蝕刻(ke)以(yi)及痕(hen)量金(jin)屬元(yuan)素(su)殘留(liu)分(fen)析，根據質控(kong)的金(jin)屬元(yuan)素(su)含量的數(shu)量和(he)含(han)量，劃分(fen)為(wei)4個(ge)級(ji)別(bie)：MOS級(ji)，VLSI級(ji)，ULSI級(ji)，SLSI級(ji)

MOS級(ji)（EL級(ji)）：控(kong)制十(shi)多(duo)個(ge)金(jin)屬元(yuan)素(su)，單項金屬(shu)元(yuan)素(su)雜質控(kong)制在100PPb左右

VLSI級(ji)：控(kong)制三(san)十多(duo)個(ge)金(jin)屬元(yuan)素(su)，單項金屬(shu)元(yuan)素(su)雜質控(kong)制在10~100PPb

ULSI級(ji)：控(kong)制三(san)十多(duo)個(ge)金(jin)屬元(yuan)素(su)，單項金屬(shu)元(yuan)素(su)雜質控(kong)制在10PPb以(yi)下

SLSI級(ji)：控(kong)制三(san)十多(duo)個(ge)金(jin)屬元(yuan)素(su)，單項金屬(shu)元(yuan)素(su)雜質控(kong)制在1PPB以(yi)下

所(suo)謂的(de)電(dian)子(zi)級(ji)酸(suan)，其實(shi)就(jiu)是(shi)ppb或者(zhe)ppt級(ji)的(de)高純(chun)酸。